在半导体芯片制造、光学元件加工以及生物医疗器件研发等领域，微纳结构的加工精度正朝着原子级精度不断迈进。传统光刻技术由于受到波长衍射极限的制约，当加工尺度进入10nm以下时，不仅面临着成本急剧上升的问题，还存在工艺复杂度大幅增加的瓶颈。而纳米压印技术凭借其在高分辨率加工、低成本生产以及高量产效率等方面的显著优势，正逐步成为下一代微纳制造领域的核心技术之一。

一、纳米压?。盒酒圃炝煊虻?ldquo;活字印刷术”

1、诞生背景：突破光刻“天花板”的必然选择

纳米压印技术（Nanoimprint Lithography, NIL）是一种新型且具有突破性的微纳加工技术，它通过物理压印的方式，将模板上的微纳米结构图案复制到涂覆有聚合物材料的基底上。其核心思想类似于古老的印章印刷术，但在纳米尺度上实现了高精度图案复制。

20世纪90年代，半导体产业加速芯片制程微缩进程，传统光学光刻技术受限于光的衍射极限，最小特征尺寸难以突破分辨率上的极限，电子束光刻虽能实现100纳米以下的精度，但其扫描式加工效率极低，且设备与工艺成本居高不下，无法满足大规模量产需求。在这一技术发展的关键节点，纳米压印技术应运而生，其核心优势在于：通过模板复制替代光束扫描，将纳米级图案一次性压印到基底上，不仅显著降低生产成本，更实现了5nm以下的分辨率。

2、技术原理：纳米级的“盖章艺术”

纳米压印的本质是图形复刻：利用带有纳米级图案的模板，在涂覆光刻胶的基底上施加精确压力，使胶层按模板轮廓塑形，固化后剥离模板，即可在基底上留下与模板互补的纳米结构。根据固化方式不同，主要分为热纳米压?。尤热砘翰悖?、紫外纳米压?。║V光固化胶层）和微接触印刷（软刻蚀）等类型。纳米压印的核心流程包括：模板制备、压印胶涂布、压印成型、脱模与后处理等关键环节。

二、关键流程拆解：逐层的“精度博弈”

1.模板制备—纳米级对准

首先，需要制作一块具有所需纳米图案的模板（通常称为“印章”或“模具”）。模板材料需坚硬耐用（如硅或石英等），其表面图案通过电子束光刻、聚焦离子束刻蚀等高精度技术加工而成。在使用准备好的模板进行压印前，模板与基底需实现亚纳米级对准，传统机械定位系统受限于机械间隙与热漂移，可能难以满足需求。

（示意图）

2.压印成型—压力均匀性控制

纳米压印技术的生产采用物理接触的方式进行图形转移，将模板以一定的压力压入压印胶（聚合物层）中，使其填充模板上的凹陷结构。这种方法能达到很高的分辨率，最小分辨率小于5纳米。例如：热压印中，模板与基底的接触压力需均匀分布，否则会导致胶层厚度不均，图案可能会出现凹凸不平的情况。

（示意图）

3.脱模—应力控制

待聚合物固化后，小心地将模板与基底分离，此时聚合物层上就形成了与模板互补的纳米结构图案。脱模时，模板与固化胶层的粘附力易导致纳米结构撕裂，需精确控制，例如：用微米级动态调节脱模速度与位移精度。

（示意图）

三、当压电技术切入纳米压印的核心痛点

压电纳米定位台（如X、Y、θz三轴系统）采用压电陶瓷驱动，直线分辨率可达2nm，闭环控制下定位精度≤10nm，配合传感器实时反馈，可在压印前实现模板与基底的亚微米级粗对准与纳米级精对准，确保图案层间的重合度。压电陶瓷促动器阵列可实现多点独立压力控制，通过闭环反馈系统实时调节各点压力，可控制压力均匀性最大化。技术优势：压电驱动响应速度快，可动态补偿压印过程中因温度变化导致的压力衰减，避免传统机械加压的“迟滞效应”。压电纳米定位台配合力传感器，可实现低速脱?？刂?，同时实时监测脱模力变化，并且实时调整位移速度，减少应力集中。

芯明天压电纳米定位系统

纳米压印的“精准之手”

纳米压印技术的演进，本质是精度需求与成本控制的平衡哲学。而压电纳米定位与控制系统，正是这门哲学实践中的核心要素——从对准到压印，从固化到脱模，每一个纳米尺度的动作背后，都需要极致的控制精度作为支撑。

（压电纳米定位台运动效果举例）

S52系列大负载压电偏摆台

S52.ZT2S压电偏摆台，可产生θx、θy两轴偏转及Z向直线运动。它的承载能力可达5kg，闭环重复定位精度可达0.006%F.S.，适用于各种高精度应用领域。同时中心具有55×55mm^2的通孔，适用于透射光应用。

产品特点

·串联结构耦合小

·闭环线性度/定位精度高

·可选真空版本

技术参数

注：以上参数是采用E00/E01系列压电控制器测得。最大驱动电压可在-20V~150V；对于高可靠的长期使用，建议驱动电压在0~120V。

H30系列压电偏摆台

芯明天H30系列压电偏摆台是具有中心通孔的三维XY直线及θz轴旋转运动的压电偏摆台，采用无摩擦柔性铰链结构设计，响应速度快、闭环定位精度高，Ø60mm中心大通孔使其易于集成在显微及扫描等光学系统中。

产品特点

·XY直线运动及θz旋转

·承载可达6kg

·闭环定位精度高

·直线分辨率可达2nm

·旋转分辨率可达0.1μrad

·直线行程可达140μm/轴

·旋转角度可达2mrad

技术参数

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